FAQ по вспышкам от Canon часть 3
Все современные
камеры EOS оснащаются специальным сегментированным датчиком TTL замера для
привязки зоны замера к той области кадра, которая идентифицируется системой
автофокуса как основная. Заметьте, что во время экспонирования активен
только датчик TTL замера, и используется он только при работе с TTL или
A-TTL вспышками серии Speedlite.
Теперь, зная все вышеизложенное, рассмотрим, что же происходит в разных
режимах экспозамера вспышки:
Режим оценочного замера через объектив (Evaluative Through-the-Lens Mode) -
E-TTL
E-TTL (управление экспозицией вспышки с предварительной оценкой через
объектив) - это новый режим работы вспышки, при котором замер происходит
через объектив, но не с поверхности пленки. Представленный впервые в 1995
году, E-TTL в настоящее время реализован в камерах EOS 50/50E, EOS 500N и
EOS IX, и работает только при их использовании совместно со вспышками
Speedlite 380EX и 220EX. Используя предвспышку, срабатывающую после того,
как была полностью нажата кнопка спуска, но перед тем, как поднимется
зеркало камеры, E-TTL использует датчик оценочного замера для анализа и
сравнения рассеянного света, и света предвспышки, отраженного от объекта
съемки. Эти данные используются для расчета и передачи вспышке значения
мощности импульса, необходимого для корректного экспонирования объекта
съемки (определенного системой автофокуса), при одновременном сохранении
разумного баланса между передним планом и фоном. Работая совершенно
прозрачно для пользователя, E-TTL представляет собой самую совершенную
систему управления экспозицией вспышки на сегодняшний день.
Усовершенствованный режим замера через объектив (Advanced Through-the-Lens
Mode) - A-TTL
Предшественник E-TTL, A-TTL используется со вспышкой Speedlite 540EZ когда
она ориентирована вперед, и камера работает в Программном Режиме (при
других установках для управления экспозицией вспышки используется режим
TTL). Так же, как и E-TTL, A-TTL управляет экспозицией вспышки используя
специальный датчик, который замеряет количество света, отраженного от
поверхности пленки во время ее экспонирования
